Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii Politechniki Warszawskiej zostało zaproszone do udziału w projekcie FAMES, który pozwoli uruchomić linię produkcyjną półprzewodników w Europie. Polscy specjaliści mają zajmować się m.in. projektowaniem układów scalonych.
Unia Europejska pracuje nad niezależnym łańcuchem dostaw półprzewodników, który byłby odporny na problemy z dostawami sprzętu. W 2023 r. uchwalono ustawę European Chips Act, która ma zwiększyć udział Europy w globalnej produkcji mikroprocesorów, zmniejszyć zależność od dostaw z Azji oraz osiągnąć maksymalną autonomię na rynku półprzewodników.
Jednym z efektów uchwalonej ustawy jest projekt FAMES (FD-SOI Pilot Line for Applications with embedded non-volatile Memories, RF, 3D integration and PMIC, to ensure European Sovereignty), który ma na celu uruchomienie linii pilotażowej oraz opracowywanie i rozwój technologii produkcji półprzewodników w litografiach FD-SOI 10 nm i 7 nm.
Dowiedzieliśmy się, że projekt FAMES będzie realizowany przez międzynarodowe konsorcjum, w którego skład wejdzie Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT Politechniki Warszawskiej. Mówimy o strategicznym projekcie dla rozwoju technologii półprzewodnikowych w Europie.
CEZAMAT PW będzie projektował procesory
Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii Politechniki Warszawskiej ma zajmować się projektowaniem układów scalonych i technologii pamięci półprzewodnikowych.
Fakt zaproszenia CEZAMAT Politechniki Warszawskiej do współpracy, w tak elitarnym gronie, nad doskonaleniem technologii FD-SOI, która została uznana za najbardziej obiecującą europejską technologię i włączona w największy projekt w historii Komisji Europejskiej (European Chips Act) świadczy o międzynarodowym uznaniu kompetencji i pozycji, jaką udało się wypracować w przeciągu kilku lat działalności CEZAMAT PW – komentuje prof. Romuald Beck, Pełnomocnik ds. Projektów Strategicznych.
Polscy naukowcy mają być zaangażowani w prace związane z opracowaniem technologii i testowaniem nieulotnych pamięci półprzewodnikowych typu OxRAM (ang. Oxide-based Resistive RAM). Nowa technologia zostanie wykorzystana w układach nowej generacji do zastosowań związanych ze sztuczną inteligencją i bezpieczeństwem sprzętowym układów scalonych.
Źródło: Politechnika Warszawska
Zgłoś naruszenie/Błąd
Pozytywnie
Neutralnie 
Negatywnie
Lubię to!
Super
Ekscytujący 
Ciekawy
Smieszny
Smutny
Wściekły
Przerażony
Szokujący
Wzruszający
Rozczarowany
Zaskoczony
Prawda
Manipulacja
Fake news
Oryginalne źródło ZOBACZ
Dodaj kanał RSS
Musisz być zalogowanym aby zaproponować nowy kanal RSS