Samsung ujawnił swoje plany dotyczące rozwiązań DRAM i pamięci nowej generacji, w tym GDDR7, DDR5, LPDDR5X i V-NAND.
Firma nie zamierza zmniejszać swoich nakładów na rozwój pamięci, gdyż jest przekonana, że jest to niezbędne do zapewnienia sobie dominacji technologicznej nad konkurentami. W tym celu Samsung stawia na procesy produkcyjne nowej generacji, które pozwolą na skalowanie gęstości pamięci w pamięciach DRAM, VRAM i najnowszej, najgęstszej pamięci NAND, która może w przyszłości obsługiwać intensywne obciążenia danych.
W dziedzinie DRAM firma ogłosiła, że masowa produkcja jej najnowszej piątej generacji klasy 10 nm (1b) rozpocznie się do 2023 roku. Prowadzone są badania w produkcji pamięci DRAM poniżej 10 nm, przy użyciu nowych wzorców, materiałów i projektów architektonicznych, które obejmują bramki High-K. Samsung mocno wyprzedza większość swoich rywali, którzy zazwyczaj produkują układy DRAM w litografii klasy 14 nm.
Nowa generacja pamięci GDDR7 Samsunga, która z pewnością napędzać będzie przyszłe GPU, jest już w produkcji. Oferuje prędkości do 36 Gb/s, czyli podwojenie w stosunku do 18 Gb/s w GDDR6. Przy tych szybkościach transmisji danych 384-bitowa magistrala pamięci byłaby w stanie zapewnić przepustowość około 1,728 TB/s – to duży wzrost w porównaniu z przepustowością 1 TB/s nadchodzącego GeForce’a RTX 4090. Zapewni to producentom GPU wystarczający zapas przepustowości bez konieczności zwiększania szerokości magistrali, ponieważ doprowadziłoby to do droższych płytek drukowanych i potencjalnie jeszcze droższych grafik.
Jeśli chodzi o NAND, gdzie Samsung jest niekwestionowanym liderem, firma obecnie projektuje i prototypuje kości V-NAND 9. i 10. generacji, z odpowiednim wzrostem gęstości warstw w porównaniu z dzisiejszą technologią. Samsung dostarcza teraz swoją 176-warstwową V-NAND siódmej generacji, a do końca roku planuje wypuścić chipy V-NAND oparte na 230-warstwowej konstrukcji ósmej generacji. Ta ostatnia zaoferuje wzrost gęstości o 42% dzięki chipom o pojemności 512 Gb.
Jednak Samsung planuje jeszcze większe skoki gęstości i spodziewa się, że do 2030 r. będzie w stanie stworzyć 1000-warstwowy design V-NAND. Samsung kontynuuje również prace nad technologią QLC (Quad-Level Cell), mając nadzieję na zwiększenie wydajności przy jednoczesnym większej gęstości.
Kilku innych producentów pamięci ogłosiło ograniczenie produkcji pamięci w odpowiedzi na spowolnienie popytu, co częściowo można przypisać ogólnej sytuacji makroekonomicznej. Spowalniający popyt doprowadził już do nadpodaży na rynku pamięci, którą dyrektor generalny Micron określił jako „bezprecedensową”, co z kolei zmusiło firmę do zmniejszenia wydatków kapitałowych w roku fiskalnym 2023 o ponad 30% (około 8 miliardów dolarów) i dalszych 50% cięć wydatków na sprzęt do produkcji wafli. W Japonii Kioxia ogłosiła zaś 30% zmniejszenie produkcji wafli pamięci w nadziei, że wystarczy to na upłynnienie zgromadzonych zapasów. Obie firmy próbują w ten sposób walczyć z trendem zniżkowym na ceny NAND, który doskwiera im w 2022 r.
Samsung idzie w zgoła odmiennym kierunku i chce umocnić swoją wiodącą pozycję w tym segmencie. Trzeba jednak pamiętać, że liczne działy i strumienie przychodów Samsunga bardziej chronią go przed cyklicznymi warunkami rynkowymi i popytowymi, więc koreański gigant ma większe pole manewru.
Zobacz także:
Zgłoś naruszenie/Błąd
Pozytywnie
Neutralnie 
Negatywnie
Lubię to!
Super
Ekscytujący 
Ciekawy
Smieszny
Smutny
Wściekły
Przerażony
Szokujący
Wzruszający
Rozczarowany
Zaskoczony
Prawda
Manipulacja
Fake news
Oryginalne źródło ZOBACZ
Dodaj kanał RSS
Musisz być zalogowanym aby zaproponować nowy kanal RSS