Samsung jest obecnie na etapie rozsyłania do partnerów próbek nowych modułów pamięci VRAM GDDR6, które są co najmniej tak szybkie, jak GDDR6X od Microna. Jest bardzo prawdopodobne, że nowe moduły pojawią się w przyszłorocznych karta graficznych.
Na stronie internetowej Samsunga pojawiły się moduły pamięci dla kart graficznych, które oznaczone są jako K4ZAF325BC-SC24 i K4ZAF325BC-SC20. Pamięci te oferują prędkości na poziomie prędkości odpowiednio 24,0 Gb/s i 20,0 Gb/s i są oznaczone jako próbki, co oznacza, że są w trakcie testów. Oba typy pamięci mają w opisie pakiet 180FBGA i gęstość 16 GB. Można zakładać, że nowe moduły Samsunga trafią do nadchodzących kart RTX 4000 lub kart AMD RDNA3, które mają pojawić się w przyszłym roku.
Pamięci GDDR6 od Samsunga mogą pojawić się w nadchodzących kartach graficznych. Nowe moduły oferują prędkości 24,0 Gb/s i 20,0 Gb/s.
Obecnie karty graficzne z pamięcią RAM GDDR6, takie jak AMD Radeon RX 6000 lub niektóre karty Nvidia RTX 3000, mogą pochwalić się szybkością pamięci od 14 Gb/s do 16 Gb/s. Nvidia RTX 3090, 3080, 3080 Ti i 3070 Ti, które posiadają szybsze GDDR6X, mogą osiągnąć prędkość do około 19 Gb/s. GDDR6 w chłodzonej cieczą edycji AMD RX 6900 XT może osiągnąć 18 Gb/s.
Niestety katalog produktów Samsunga nie ujawnia, kiedy pamięci mogą wejść do masowej produkcji. Na rynku zapowiada się ostra konkurencja pomiędzy Samsungiem i Micronem, bo według plotek, karty RTX 3090 Ti, które zostaną wprowadzone na rynek w styczniu z pamięcią GDDR6X, będą oferować prędkości rzędu 21 Gb/s.
Zgłoś naruszenie/Błąd
Oryginalne źródło ZOBACZ
Dodaj kanał RSS
Musisz być zalogowanym aby zaproponować nowy kanal RSS