Raytheon modernizuje produkcję azotku galu

Raytheon Missiles & Defense, dział firmy Raytheon Technologies, dokonał dalszych ulepszeń w procesie produkcji półprzewodników do celów militarnych opartych na azotku galu (GaN). W porównaniu do poprzednich wersji azotek galu wyprodukowany w ramach kontraktu Defense Production Act Title III może pochwalić się wyższą efektywnością działania i niższym kosztem.

Rezultatem wspomnianego kontraktu było zdobycie certyfikatu potwierdzającego gotowość do produkcji poziomu 9, co oznacza, że nowa wersja GaN do celów wojskowych jest gotowa do rozpoczęcia produkcji wielkoseryjnej. Ponadto kontrakt ten potwierdził zwiększoną efektywność i wydajność GaN przy jednoczesnym zachowaniu niezawodności GaN produkowanego przez Raytheon, jak również doprowadził do zmniejszenia kosztu produkcji nadajników zakłócających nowej generacji (Next Generation Jammers).

W 2016 roku Zarząd Materiałów i Technologii Produkcyjnych Laboratorium Badawczego Sił Powietrznych, występując jako przedstawiciel wykonawczy programu DPA Title III, przyznał zespołowi ds. zaawansowanych technologii Raytheon kontrakt Title III na ulepszenie procesu produkcji GaN.

GaN to materiał półprzewodnikowy, który efektywnie wzmacnia sygnały radiowe dużej mocy w mikrofalowym zakresie częstotliwości, dzięki czemu zwiększa zasięg i poprawia zarządzanie zasobami radarów, a jednocześnie zmniejsza ich rozmiary, wagę, wykorzystanie energii i koszty. Jest wykorzystywany w szerokiej gamie wojskowych radarów i systemów obronnych – od systemu obrony powietrznej Patriot przez radar GhostEye (oznaczenie radarów bazujących na LTAMDS, przeznaczonych jednak nie tylko do Patriotów, ale też w nowym wariancie z anteną obrotową do systemów krótkiego zasięgu) do rodziny radarów SPY-6.

GaN stanowi podstawę niemal wszystkich wytwarzanych przez nas najnowocześniejszych technologii obronnych. Dzięki ulepszeniu tego procesu znacząco podnosimy możliwości naszych produktów, od wykrywania zagrożeń do skuteczności rażenia.

Zgłoś naruszenie/Błąd