IBM i Samsung ogłosiły swoje najnowsze osiągnięcie w dziedzinie projektowania półprzewodników: nowy sposób układania tranzystorów pionowo na chipie (zamiast płasko na powierzchni półprzewodnika).
Nowa konstrukcja tranzystorów polowych VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) ma zastąpić obecną technologię FinFET, która jest używana w niektórych z najbardziej zaawansowanych obecnie chipów i może pozwolić na układy, które są jeszcze gęściej upakowane tranzystorami niż obecnie. Zasadniczo nowy projekt układałby tranzystory pionowo, umożliwiając przepływ prądu w górę i w dół stosu zamiast tradycyjnego poziomego układu, stosowanego obecnie w większości chipów, gdzie prąd przepływa z jednej strony na drugą.
Chipy VTFET mogą zaoferować dwukrotną poprawę wydajności lub 85-procentowe zmniejszenie zużycia energii.
Pionowe projekty półprzewodników są od jakiegoś czasu trendem (FinFET oferuje już niektóre z tych korzyści). Przyszłe plany Intela również wydają się zmierzać w tym kierunku, chociaż jego początkowe prace skupiały się na układaniu komponentów chipów, a nie pojedynczych tranzystorów. Takie podejście to naturalny krok do przodu, ponieważ kiedy skończą się możliwości dodania większej liczby chipów w jednej płaszczyźnie, jedynym realnym kierunkiem (poza fizycznie kurczącą się technologią tranzystorową) jest pójście w górę.
Chociaż wciąż jesteśmy daleko od projektów VTFET stosowanych w rzeczywistych chipach konsumenckich, obie firmy chwalą się dużymi korzyściami takiego podejścia, zauważając, że chipy VTFET mogą zaoferować „dwukrotną poprawę wydajności lub 85-procentowe zmniejszenie zużycia energii” w porównaniu do projektów FinFET. IBM i Samsung twierdzą też, że technologia VTFET może pomóc w utrzymaniu celu prawa Moore’a, jakim jest stałe zwiększanie liczby tranzystorów.
IBM i Samsung przytaczają również ambitne zastosowania nowej technologii, podnosząc idee „baterii do telefonów komórkowych, które mogą działać przez tydzień bez ładowania”, mniej energochłonnego wydobywania kryptowaluty lub szyfrowania danych, a nawet potężniejszych urządzeń IoT czy statków kosmicznych.
IBM wcześniej zaprezentował swój pierwszy 2 nm układ, który obiera inną drogę w kierunku upakowania większej liczby tranzystorów, a mianowicie przy użyciu istniejącej konstrukcji FinFET. VTFET pozwolić ma jednak na zastosowanie jeszcze mniejszych litografii, chociaż prawdopodobnie minie jeszcze du żo czasu, zanim zobaczymy chipy oparte na najnowszej technologii IBM i Samsunga.
To nie jedyna firma, która patrzy w przyszłość technologii produkcyjnej. Intel zaprezentował latem swoją nadchodzącą konstrukcję RibbonFET (pierwszy tranzystor Intela typu gate-all-around), będącą następcą technologii produkcyjnej FinFET, która ma być częścią generacji produktów półprzewodnikowych Intel 20A – ich produkcja ma rozpocząć się w 2024 roku. Firma ogłosiła również niedawno własny plan dotyczący technologii tranzystorów układanych w stosy jako potencjalnego następcy RibbonFET w przyszłości.
Zgłoś naruszenie/Błąd
Pozytywnie
Neutralnie 
Negatywnie
Lubię to!
Super
Ekscytujący 
Ciekawy
Smieszny
Smutny
Wściekły
Przerażony
Szokujący
Wzruszający
Rozczarowany
Zaskoczony
Prawda
Manipulacja
Fake news
Oryginalne źródło ZOBACZ
Dodaj kanał RSS
Musisz być zalogowanym aby zaproponować nowy kanal RSS