Longsys to chińska firma specjalizująca się w produkcji pamięci. Ta postanowiła pochwalić się wynikami wydajności swoich modułów RAM DDR5, które zostały przetestowane na nadchodzącej platformie Intel Alder Lake, składającej się ze stacjonarnego 8-rdzeniowego procesora. Dane dotyczące wydajności zostały zmierzone na modułach Longsys DDR5 ES1, które oferują prędkości do 6,4 Gb/s. Moduł pamięci DDR5 od Longsys, który został właśnie przetestowany, ma dwa warianty, z których oba są w formacie UDIMM. Mamy wersje single-rank (x8) i dual-rank (x8), przy czym pierwszy z nich ma pojemność 16 GB (JDEC R/C A 0,50), a drugi ma 32 GB (JDEC R/C B 0,51). Oba warianty osiągają prędkość 6400 MHz przy opóźnieniach CL40, wykorzystują kości o pojemności 16 Gb (2x8b) i napięcia o wartości 1,1/1,1/1,8 V (VDD / VDDQ / VPP). Wykorzystują one także 8-warstwową konstrukcję laminatu, a ich wymiary to 133,35 × 31,25 × 1,27 mm.
Longsys postanowiło pochwalić się wynikami wydajności swoich modułów RAM DDR5, które zostały przetestowane na nadchodzącej platformie Intel Alder Lake.
Do ewaluacji pamięci DDR5, Longsys użył płyty deweloperskiej Intel Alder Lake-S ADP-S CRB. Platforma składa się z pojedynczego gniazda UDIMM DDR5 i zawiera procesor Intel Alder Lake ES z 8 rdzeniami i częstotliwością taktowania zaledwie 0,8 GHz. Całości dopełnił 64-bitowy system operacyjny Windows 10 i pamięci w wersji dual-rank. Te oferują również 2 niezależne kanały DRAM z pojedynczego modułu. Przechodząc do testów wydajności, producent najpierw przedstawił rezultaty z chińskiego benchmarku, w którym pamięć DDR5-6400 MHz działająca na platformie Intel Alder Lake uzyskała ponad 190 000 punktów w testach RAM. Dla porównania moduł DDR4 firmy Longsys uzyskał zaledwie 91 757 punktów, co oznacza przeszło 110% poprawę w porównaniu z pamięcią DDR5, nawet na tak wczesnym etapie.
Następnie mamy AIDA 64 Cache i test pamięci. W tym benchmarku pamięć DDR5 uzyskała 39% wzrost w porównaniu z DDR4 w ramach odczytu, 36% poprawę w zapisie i ponad 10% poprawę w testach kopiowania. Opóźnienie było jednak znacznie gorsze niż w przypadku DDR4, co wynikać może z kilku powodów. Po pierwsze, trzeba wziąć pod uwagę wczesny charakter (ES) całej platformy testowej, do tego dochodzą znacznie wyższe opóźnienia CAS dla zestawu DDR5 w porównaniu z DDR4. Pamięć DDR5 posiada konfigurację dual-rank, co czasami również może przekładać się na gorszą wydajność niż moduły DIMM single-rank. Przypominamy, że procesory Intel Alder Lake do komputerów stacjonarnych i zupełnie nowa platforma z gniazdami LGA1700 mają zadebiutować w drugiej połowie 2021 r. Kilku producentów pamięci zapowiedziało już swoje zestawy pamięci DDR5 dla tej platformy. Te oferować mają znacznie wyższe prędkości niż DDR4 i pojemności do 128 GB.
Zgłoś naruszenie/Błąd
Pozytywnie
Neutralnie 
Negatywnie
Lubię to!
Super
Ekscytujący 
Ciekawy
Smieszny
Smutny
Wściekły
Przerażony
Szokujący
Wzruszający
Rozczarowany
Zaskoczony
Prawda
Manipulacja
Fake news
Oryginalne źródło ZOBACZ
Dodaj kanał RSS
Musisz być zalogowanym aby zaproponować nowy kanal RSS