SK Hynix ogłosiło pierwsze w branży 12-warstwowe stosy pamięci HBM3 o pojemności 24 GB, które oferują zarówno wysoką gęstość, jak i ekstremalną przepustowość 819 GB/s. Co warto podkreślić kości 12-Hi HBM3 zachowują taką samą wysokość jak istniejące 8-warstwowe kości HBM3, co oznacza, że są łatwe do wdrożenia.
Pamięci HBM3 KGSD (Known Good Stack Die) od SK Hynix o pojemności 24 GB wykorzystują dwanaście urządzeń pamięci 16 Gb połączonych za pomocą interfejsu TSV (through silicon vias) umieszczonych na warstwie bazowej z 1024-bitowym interfejsem. Urządzenie charakteryzuje się szybkością transferu danych 6400 MT/s, dzięki czemu cały moduł HBM3 o pojemności 24 GB oferuje przepustowość na poziomie 819,2 GB/s.
SK Hynix ogłosiło pierwsze w branży 12-warstwowe stosy pamięci HBM3 o pojemności 24 GB.
HBM3 KGSD – pierwsze 12-warstwowe stosy pamięci o pojemności 24 GB
W zależności od rzeczywistego podsystemu pamięci, takie moduły mogą zapewniać przepustowość od 3,2 TB/s do 4,915 TB/s odpowiednio dla 96 GB pamięci na interfejsie 4096-bitowym lub 144 GB pamięci na interfejsie 6140-bitowym. Dla porównania, NVIDIA H100 NVL — najbardziej zaawansowana jak dotąd implementacja HBM3 — oferuje 96 GB pamięci z przepustowością 3,9 TB/s dla każdego z dwóch obliczeniowych procesorów graficznych GH100.
Układanie 12 warstw HBM DRAM jedna na drugiej jest wyzwaniem z kilku powodów. Po pierwsze, trudno jest wywiercić około 60 000 lub więcej otworów TSV w obudowie, aby połączyć wszystkie dwanaście warstw. Po drugie, pakiety 12-Hi HBM DRAM nie mogą być fizycznie wyższe niż 8-Hi HBM KGSD (zwykle 700 – 800 mikronów, 720 mikronów w przypadku Samsunga), aby ich instalacja obok procesora lub karty graficznej, które mają stałą wysokość, nie była zbyt skomplikowana. W tym celu producenci DRAM, tacy jak SK Hynix, muszą albo zmniejszyć grubość pojedynczej warstwy DRAM bez poświęcania uzysku lub wydajności (co wiąże się z wieloma wyzwaniami), albo zmniejszyć szczelinę między warstwami, a także odchudzić warstwę bazową.
Nowa pamięć SK Hynix jeszcze w tym roku
SK Hynix twierdzi, że aby zbudować swój produkt 12-Hi HBM3 o tej samej wysokości, co 8Hi HBM3, wykorzystało technologię hermetyzacji Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), która obejmuje mocowanie chipa Mass Reflow (MR) w celu obkurczenia podstawy procesy nakładania warstw i formowania podkładu (MUF) w celu zmniejszenia odstępów między matrycami. Trzeba przyznać, że brzmi to skomplikowanie.
SK Hynix dostarczył próbki swojego produktu HBM3 o pojemności 24 GB do kilku klientów. Pamięć znajduje się obecnie w trakcie ewaluacji wydajności i ma wejść do masowej produkcji w drugiej połowie roku.
Zgłoś naruszenie/Błąd
Pozytywnie
Neutralnie 
Negatywnie
Lubię to!
Super
Ekscytujący 
Ciekawy
Smieszny
Smutny
Wściekły
Przerażony
Szokujący
Wzruszający
Rozczarowany
Zaskoczony
Prawda
Manipulacja
Fake news
Oryginalne źródło ZOBACZ
Dodaj kanał RSS
Musisz być zalogowanym aby zaproponować nowy kanal RSS